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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores bipolares (BJT)-Single > BC639G

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BC639G

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Especificaciones

Número de pieza

BC639G
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

TRANS NPN 80V 1A TO-92
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

BC639G.pdf
Tensión - Colector-emisor (máx)

80V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 50mA, 500mA
Tipo de transistor

NPN
Paquete del dispositivo

TO-92-3
Serie

-
Potencia - Max

625mW
embalaje

Bulk
Paquete / Cubierta

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Otros nombres

BC639G-ND
BC639GOS
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frecuencia - Transición

200MHz
Descripción detallada

Bipolar (BJT) Transistor NPN 80V 1A 200MHz 625mW Through Hole TO-92-3
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce

40 @ 150mA, 2V
Corriente - corte del colector (Max)

100nA (ICBO)
Corriente - colector (Ic) (Max)

1A
Número de pieza base

BC639

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