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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores bipolares (BJT)-Single > BC639ZL1G
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BC639ZL1G

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Especificaciones
  • Número de pieza
    BC639ZL1G
  • Fabricante / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    TRANS NPN 80V 1A TO-92
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    BC639ZL1G.pdf
  • Tensión - Colector-emisor (máx)
    80V
  • VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic
    500mV @ 50mA, 500mA
  • Tipo de transistor
    NPN
  • Paquete del dispositivo
    TO-92-3
  • Serie
    -
  • Potencia - Max
    625mW
  • embalaje
    Tape & Box (TB)
  • Paquete / Cubierta
    TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
  • Otros nombres
    BC639ZL1G-ND
    BC639ZL1GOSTB
    BC639ZL1GOSTR
    BC639ZL1GOSTR-ND
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Through Hole
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frecuencia - Transición
    200MHz
  • Descripción detallada
    Bipolar (BJT) Transistor NPN 80V 1A 200MHz 625mW Through Hole TO-92-3
  • DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce
    40 @ 150mA, 2V
  • Corriente - corte del colector (Max)
    100nA (ICBO)
  • Corriente - colector (Ic) (Max)
    1A
  • Número de pieza base
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