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BSP19AT1

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Especificaciones

Número de pieza

BSP19AT1
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

TRANS NPN 350V 0.1A SOT223
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Contiene plomo / RoHS no conforme
Especificaciones

BSP19AT1.pdf
Modelo ECAD
Tensión - Colector-emisor (máx)

350V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 4mA, 50mA
Tipo de transistor

NPN
Paquete del dispositivo

SOT-223
Serie

-
Potencia - Max

800mW
embalaje

Original-Reel®
Paquete / Cubierta

TO-261-4, TO-261AA
Otros nombres

BSP19AT1OSDKR
Temperatura de funcionamiento

-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Frecuencia - Transición

70MHz
Descripción detallada

Bipolar (BJT) Transistor NPN 350V 100mA 70MHz 800mW Surface Mount SOT-223
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce

40 @ 20mA, 10V
Corriente - corte del colector (Max)

20nA (ICBO)
Corriente - colector (Ic) (Max)

100mA
Número de pieza base

BSP19

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Envío
Forma de pago

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

31/03/2025

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BSP295E6327

Descripción: MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)

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