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5924313Imagen BSP295E6327International Rectifier (Infineon Technologies)

BSP295E6327

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Especificaciones
  • Número de pieza
    BSP295E6327
  • Fabricante / Marca
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Contiene plomo / RoHS no conforme
  • Especificaciones
    BSP295E6327.pdf
  • Modelo ECAD
  • VGS (th) (Max) @Id
    1.8V @ 400µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnología
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paquete del dispositivo
    PG-SOT223-4
  • Serie
    SIPMOS®
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    300 mOhm @ 1.8A, 10V
  • La disipación de energía (máximo)
    1.8W (Ta)
  • embalaje
    Cut Tape (CT)
  • Paquete / Cubierta
    TO-261-4, TO-261AA
  • Otros nombres
    BSP295INCT
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    368pF @ 25V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    17nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Característica de FET
    -
  • Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    60V
  • Descripción detallada
    N-Channel 60V 1.8A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    1.8A (Ta)

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