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Imagen CPH3362-TL-W

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

CPH3362-TL-W

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Especificaciones

Número de pieza

CPH3362-TL-W
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET P-CH 100V 0.7A CPH3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

CPH3362-TL-W.pdf
VGS (th) (Max) @Id

2.6V @ 1mA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

3-CPH
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

1.7 Ohm @ 700mA, 10V
La disipación de energía (máximo)

1W (Ta)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Otros nombres

CPH3362-TL-W-ND
CPH3362-TL-WOSTR
Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

5 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

142pF @ 20V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

3.7nC @ 10V
Tipo FET

P-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

100V
Descripción detallada

P-Channel 100V 700mA (Ta) 1W (Ta) Surface Mount 3-CPH
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

700mA (Ta)

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