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Imagen CPH3448-TL-W

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

CPH3448-TL-W

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Especificaciones

Número de pieza

CPH3448-TL-W
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 30V 4A CPH3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

CPH3448-TL-W.pdf
VGS (th) (Max) @Id

-
Vgs (Max)

±12V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

3-CPH
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

50 mOhm @ 2A, 4.5V
La disipación de energía (máximo)

1W (Ta)
embalaje

Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Otros nombres

CPH3448-TL-WOSCT
Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

6 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

430pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

4.7nC @ 4.5V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

N-Channel 30V 4A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount 3-CPH
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

4A (Ta)

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