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CPH6001A-TL-E

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Especificaciones
  • Número de pieza
    CPH6001A-TL-E
  • Fabricante / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    TRANS NPN BIPO 12V 100MA CPH6
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    CPH6001A-TL-E.pdf
  • Modelo ECAD
  • Tensión - Colector-emisor (máx)
    12V
  • Tipo de transistor
    NPN
  • Paquete del dispositivo
    6-CPH
  • Serie
    -
  • Potencia - Max
    800mW
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
  • Temperatura de funcionamiento
    150°C (TJ)
  • La figura de ruido (dB Typ @ f)
    1.1dB @ 1GHz
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    9 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ganancia
    11dB
  • Frecuencia - Transición
    6.7GHz
  • Descripción detallada
    RF Transistor NPN 12V 100mA 6.7GHz 800mW Surface Mount 6-CPH
  • DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce
    90 @ 30mA, 5V
  • Corriente - colector (Ic) (Max)
    100mA

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Descripción: TRANS PNP 20V 3A CPH6

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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Descripción: TRANS PNP 20V 3A CPH6

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Descripción: MOSFET N-CH 30V 3.5A CPH5

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Descripción: TRANS NPN/PNP 50V 3A 5CPH

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Descripción: TRANS NPN/JFET N-CH 15V CPH5

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Descripción: TRANS PNP 50V 3A CPH6

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Descripción: TRANS NPN 8V 0.15A CPH6

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Descripción: TRANS NPN BIPO 12V 150MA CPH6

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Descripción: TRANS PNP 30V 3A CPH6

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Descripción: TRANS NPN/MOSFET N-CH CPH5

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