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1977944Imagen ECH8659-TL-WAMI Semiconductor / ON Semiconductor

ECH8659-TL-W

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Especificaciones
  • Número de pieza
    ECH8659-TL-W
  • Fabricante / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET 2N-CH 30V 7A ECH8
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    ECH8659-TL-W.pdf
  • VGS (th) (Max) @Id
    2.6V @ 1mA
  • Paquete del dispositivo
    SOT-28FL/ECH8
  • Serie
    -
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    24 mOhm @ 3.5A, 10V
  • Potencia - Max
    1.3W
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    8-SMD, Flat Lead
  • Otros nombres
    ECH8659-TL-W-ND
    ECH8659-TL-WOSTR
  • Temperatura de funcionamiento
    150°C (TJ)
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    5 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    710pF @ 10V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    11.8nC @ 10V
  • Tipo FET
    2 N-Channel (Dual)
  • Característica de FET
    Logic Level Gate, 4V Drive
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    30V
  • Descripción detallada
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 7A 1.3W SOT-28FL/ECH8
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    7A

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Descripción: MOSFET N-CH 20V 7.5A ECH8

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Descripción: MOSFET 2P-CH 20V 5A ECH8

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Descripción: MOSFET 2P-CH 30V 5.5A ECH8

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Descripción: INTEGRATED CIRCUIT

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Descripción: MOSFET 2N-CH 30V 7A ECH8

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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Descripción: MOSFET N-CH ECH8

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