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Imagen ECH8663R-TL-H

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

ECH8663R-TL-H

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Especificaciones

Número de pieza

ECH8663R-TL-H
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET 2N-CH 30V 8A ECH8
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

ECH8663R-TL-H.pdf
VGS (th) (Max) @Id

-
Paquete del dispositivo

8-ECH
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

20.5 mOhm @ 4A, 4.5V
Potencia - Max

1.5W
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

8-SMD, Flat Lead
Otros nombres

ECH8663R-TL-H-ND
ECH8663R-TL-HOSTR
Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

4 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

-
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

12.3nC @ 4.5V
Tipo FET

2 N-Channel (Dual)
Característica de FET

Logic Level Gate
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 8A 1.5W Surface Mount 8-ECH
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

8A

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