EFC4612R-TR

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Especificaciones

Número de pieza

EFC4612R-TR
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 24V 6A EFCP
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

1.3V @ 1mA
Vgs (Max)

±12V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

EFCP1313-4CC-037
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

45 mOhm @ 3A, 4.5V
La disipación de energía (máximo)

1.6W (Ta)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

4-XFBGA
Otros nombres

EFC4612R-TR-ND
EFC4612R-TROSTR
Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

7nC @ 4.5V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

-
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

24V
Descripción detallada

N-Channel 24V 6A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount EFCP1313-4CC-037
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

6A (Ta)

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EFC2J004NUZTDG

Descripción: MOSFET NCH 12V WLCSP6 DUAL

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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