EFC4618R-TR

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Especificaciones

Número de pieza

EFC4618R-TR
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET 2N-CH EFCP1818
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

EFC4618R-TR.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

-
Paquete del dispositivo

EFCP1818-4CC-037
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

-
Potencia - Max

1.6W
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

4-XBGA, 4-FCBGA
Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

-
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

-
Tipo FET

2 N-Channel (Dual)
Característica de FET

Standard
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

-
Descripción detallada

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 1.6W Surface Mount EFCP1818-4CC-037
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

-

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Los siguientes son productos relacionados con "EFC4618R-TR".

EFC4C002NLTDG

Descripción: MOSFET 2 N-CHANNEL 8WLCSP

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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