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EFC6601R-TR

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Especificaciones
  • Número de pieza
    EFC6601R-TR
  • Fabricante / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET 2N-CH EFCP
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    EFC6601R-TR.pdf
  • VGS (th) (Max) @Id
    -
  • Paquete del dispositivo
    EFCP2718-6CE-020
  • Serie
    -
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    -
  • Potencia - Max
    2W
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    6-XFBGA, FCBGA
  • Otros nombres
    EFC6601R-TR-ND
    EFC6601R-TROSTR
  • Temperatura de funcionamiento
    150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    4 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    -
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    48nC @ 4.5V
  • Tipo FET
    2 N-Channel (Dual)
  • Característica de FET
    Logic Level Gate, 2.5V Drive
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    -
  • Descripción detallada
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 2W Surface Mount EFCP2718-6CE-020
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
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