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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores-FETs, MOSFETs-matrices > EFC6602R-A-TR

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EFC6602R-A-TR

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Especificaciones

Número de pieza

EFC6602R-A-TR
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET 2N-CH EFCP
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
VGS (th) (Max) @Id

-
Paquete del dispositivo

EFCP2718-6CE-020
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

-
Potencia - Max

2W
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

6-XFBGA, FCBGA
Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

-
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

55nC @ 4.5V
Tipo FET

2 N-Channel (Dual) Common Drain
Característica de FET

Logic Level Gate, 2.5V Drive
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

-
Descripción detallada

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 2W Surface Mount EFCP2718-6CE-020
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

-

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