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Imagen FCH023N65S3-F155

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FCH023N65S3-F155

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Especificaciones

Número de pieza

FCH023N65S3-F155
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 650V 75A TO247
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

FCH023N65S3-F155.pdf
VGS (th) (Max) @Id

4.5V @ 7.5mA
Vgs (Max)

±30V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-247 Long Leads
Serie

SuperFET® III
RDS (Max) @Id, Vgs

23 mOhm @ 37.5A, 10V
La disipación de energía (máximo)

595W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-247-3
Otros nombres

FCH023N65S3_F155
FCH023N65S3_F155-ND
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

7160pF @ 400V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

222nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

Super Junction
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

650V
Descripción detallada

N-Channel 650V 75A (Tc) 595W (Tc) Through Hole TO-247 Long Leads
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

75A (Tc)

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