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Imagen FCH041N60E

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FCH041N60E

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Especificaciones

Número de pieza

FCH041N60E
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N CH 600V 77A TO-247
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

FCH041N60E.pdf
VGS (th) (Max) @Id

3.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-247
Serie

SuperFET® II
RDS (Max) @Id, Vgs

41 mOhm @ 39A, 10V
La disipación de energía (máximo)

592W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-247-3
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

13700pF @ 100V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

380nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

600V
Descripción detallada

N-Channel 600V 77A (Tc) 592W (Tc) Through Hole TO-247
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

77A (Tc)

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