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5712542Imagen FCPF1300N80ZYDAMI Semiconductor / ON Semiconductor

FCPF1300N80ZYD

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Especificaciones
  • Número de pieza
    FCPF1300N80ZYD
  • Fabricante / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET N-CH 800V 4A TO220F
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    FCPF1300N80ZYD.pdf
  • VGS (th) (Max) @Id
    4.5V @ 400µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnología
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paquete del dispositivo
    TO-220F-3 (Y-Forming)
  • Serie
    SuperFET® II
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    1.3 Ohm @ 2A, 10V
  • La disipación de energía (máximo)
    24W (Tc)
  • embalaje
    Tube
  • Paquete / Cubierta
    TO-220-3 Full Pack, Formed Leads
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Through Hole
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    880pF @ 100V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    21nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Característica de FET
    -
  • Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    800V
  • Descripción detallada
    N-Channel 800V 4A (Tc) 24W (Tc) Through Hole TO-220F-3 (Y-Forming)
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    4A (Tc)

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Descripción: MOSFET N-CH 600V TO-220-3

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Descripción: MOSFET N-CH 650V 11A

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Descripción: MOSFET N-CH 650V 30A TO220F

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FCPF11N60NT

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FCPF11N60F

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Descripción: MOSFET N-CH 600V 11A TO-220F

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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FCPF165N65S3L1

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Descripción: MOSFET N-CH 650V 19A TO220F-3

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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FCPF11N60_G

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Descripción: INTEGRATED CIRCUIT

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