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Imagen FCPF16N60NT

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FCPF16N60NT

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Especificaciones

Número de pieza

FCPF16N60NT
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 600V TO-220-3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

1.FCPF16N60NT.pdf
2.FCPF16N60NT.pdf
VGS (th) (Max) @Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-220F-3
Serie

SupreMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs

199 mOhm @ 8A, 10V
La disipación de energía (máximo)

35.7W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-220-3 Full Pack
Otros nombres

FCPF16N60NT-ND
FCPF16N60NTFS
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

39 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

2170pF @ 100V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

52.3nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

600V
Descripción detallada

N-Channel 600V 16A (Tc) 35.7W (Tc) Through Hole TO-220F-3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

16A (Tc)

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