FCU4300N80Z

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Especificaciones

Número de pieza

FCU4300N80Z
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
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Descripción

MOSFET N-CH 800V 1.6A IPAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

FCU4300N80Z.pdf
VGS (th) (Max) @Id

4.5V @ 160µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

I-PAK
Serie

SuperFET® II
RDS (Max) @Id, Vgs

4.3 Ohm @ 800mA, 10V
La disipación de energía (máximo)

27.8W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

355pF @ 100V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

8.8nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

800V
Descripción detallada

N-Channel 800V 1.6A (Tc) 27.8W (Tc) Through Hole I-PAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

1.6A (Tc)

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