FCU850N80Z

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Especificaciones

Número de pieza

FCU850N80Z
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 800V 6A IPAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

FCU850N80Z.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

4.5V @ 600µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

IPAK (TO-251)
Serie

SuperFET® II
RDS (Max) @Id, Vgs

850 mOhm @ 3A, 10V
La disipación de energía (máximo)

75W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

52 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1315pF @ 100V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

29nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

800V
Descripción detallada

N-Channel 800V 6A (Tc) 75W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

6A (Tc)

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Envío
Forma de pago

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

31/03/2025

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SIR464DP-T1-GE3

Descripción:

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

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