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FDB0105N407L

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Especificaciones

Número de pieza

FDB0105N407L
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

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Descripción

MOSFET N-CH 40V 460A
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

FDB0105N407L.pdf
VGS (th) (Max) @Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

D²PAK (TO-263)
Serie

PowerTrench®
RDS (Max) @Id, Vgs

0.8 mOhm @ 50A, 10V
La disipación de energía (máximo)

3.8W (Ta), 300W (Tc)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Otros nombres

FDB0105N407LTR
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

6 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

23100pF @ 20V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

291nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

40V
Descripción detallada

N-Channel 40V 460A (Tc) 3.8W (Ta), 300W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

460A (Tc)

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