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Imagen FDB0260N1007L

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FDB0260N1007L

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Especificaciones

Número de pieza

FDB0260N1007L
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 100V 200A D2PAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

FDB0260N1007L.pdf
VGS (th) (Max) @Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

D²PAK (TO-263)
Serie

PowerTrench®
RDS (Max) @Id, Vgs

2.6 mOhm @ 27A, 10V
La disipación de energía (máximo)

3.8W (Ta), 250W (Tc)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Otros nombres

FDB0260N1007LTR
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

39 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

8545pF @ 50V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

118nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

100V
Descripción detallada

N-Channel 100V 200A (Tc) 3.8W (Ta), 250W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

200A (Tc)

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