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Imagen FDB86363-F085

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FDB86363-F085

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Especificaciones

Número de pieza

FDB86363-F085
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 80V 110A TO263
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

FDB86363-F085.pdf
VGS (th) (Max) @Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

D²PAK (TO-263AB)
Serie

Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
RDS (Max) @Id, Vgs

2.4 mOhm @ 80A, 10V
La disipación de energía (máximo)

300W (Tc)
embalaje

Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Otros nombres

FDB86363-F085CT
FDB86363_F085CT
FDB86363_F085CT-ND
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

10000pF @ 40V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

150nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

80V
Descripción detallada

N-Channel 80V 110A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

110A (Tc)

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