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AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FDB8870

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800+

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Especificaciones

Número de pieza

FDB8870
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 30V 23A TO-263AB
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

FDB8870.pdf
VGS (th) (Max) @Id

2.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-263AB
Serie

PowerTrench®
RDS (Max) @Id, Vgs

3.9 mOhm @ 35A, 10V
La disipación de energía (máximo)

160W (Tc)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Otros nombres

FDB8870-ND
FDB8870FSTR
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

9 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

5200pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

132nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

N-Channel 30V 23A (Ta), 160A (Tc) 160W (Tc) Surface Mount TO-263AB
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

23A (Ta), 160A (Tc)

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