FDB9406-F085

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Especificaciones

Número de pieza

FDB9406-F085
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 40V 110A TO263AB
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

FDB9406-F085.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

D²PAK (TO-263)
Serie

Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
RDS (Max) @Id, Vgs

1.8 mOhm @ 80A, 10V
La disipación de energía (máximo)

176W (Tj)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Otros nombres

FDB9406-F085TR
FDB9406_F085
FDB9406_F085TR
FDB9406_F085TR-ND
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

7710pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

138nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

40V
Descripción detallada

N-Channel 40V 110A (Tc) 176W (Tj) Surface Mount D²PAK (TO-263)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

110A (Tc)

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Envío
Forma de pago

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

31/03/2025

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Descripción: MOSFET N-CH 30V 121A TO-263AB

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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