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FDB9406L-F085

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Especificaciones

Número de pieza

FDB9406L-F085
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET
Estado Libre de plomo / Estado RoHS
Especificaciones

FDB9406L-F085.pdf
VGS (th) (Max) @Id

3V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

D²PAK (TO-263AB)
Serie

Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
RDS (Max) @Id, Vgs

1.5 mOhm @ 80A, 10V
La disipación de energía (máximo)

176W (Tj)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Otros nombres

FDB9406L_F085
FDB9406L_F085-ND
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Tiempo de entrega estándar del fabricante

33 Weeks
Estado sin plomo

Lead free
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

8600pF @ 20V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

170nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

40V
Descripción detallada

N-Channel 40V 110A (Tc) 176W (Tj) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

110A (Tc)

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