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6830453Imagen FDBL0200N100AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FDBL0200N100

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Especificaciones
  • Número de pieza
    FDBL0200N100
  • Fabricante / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET N-CH 100V 300A 8-HPSOF
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    FDBL0200N100.pdf
  • Modelo ECAD
  • VGS (th) (Max) @Id
    4.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnología
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paquete del dispositivo
    8-HPSOF
  • Serie
    -
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    2 mOhm @ 80A, 10V
  • La disipación de energía (máximo)
    429W (Tc)
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    8-PowerSFN
  • Otros nombres
    FDBL0200N100-ND
    FDBL0200N100OSTR
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    9760pF @ 50V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    133nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Característica de FET
    -
  • Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    100V
  • Descripción detallada
    N-Channel 100V 300A (Tc) 429W (Tc) Surface Mount 8-HPSOF
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    300A (Tc)

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