FDD4685-F085P

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Especificaciones

Número de pieza

FDD4685-F085P
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

PMOS DPAK 40V 27 MOHM
Estado Libre de plomo / Estado RoHS
Especificaciones

FDD4685-F085P.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

3V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-252, (D-Pak)
Serie

Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
RDS (Max) @Id, Vgs

27 mOhm @ 8.4A, 10V
La disipación de energía (máximo)

83W (Tj)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Otros nombres

FDD4685-F085P-ND
FDD4685-F085POSTR
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo

Lead free
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

2380pF @ 20V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

27nC @ 5V
Tipo FET

P-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

40V
Descripción detallada

P-Channel 40V 32A (Tc) 83W (Tj) Surface Mount TO-252, (D-Pak)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

32A (Tc)

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Envío
Forma de pago

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

31/03/2025

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FDD45AN06LA0

Descripción: MOSFET N-CH 60V 25A DPAK

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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