FDD5680

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Especificaciones

Número de pieza

FDD5680
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 60V 8.5A D-PAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

FDD5680.pdf
VGS (th) (Max) @Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-252
Serie

PowerTrench®
RDS (Max) @Id, Vgs

21 mOhm @ 8.5A, 10V
La disipación de energía (máximo)

2.8W (Ta), 60W (Tc)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Otros nombres

FDD5680-ND
FDD5680TR
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

42 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1835pF @ 30V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

46nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

60V
Descripción detallada

N-Channel 60V 8.5A (Ta) 2.8W (Ta), 60W (Tc) Surface Mount TO-252
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

8.5A (Ta)

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