FDD6778A

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Especificaciones

Número de pieza

FDD6778A
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 25V 12A DPAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

FDD6778A.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

3V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

D-PAK (TO-252)
Serie

PowerTrench®
RDS (Max) @Id, Vgs

14 mOhm @ 10A, 10V
La disipación de energía (máximo)

3.7W (Ta), 24W (Tc)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Otros nombres

FDD6778ATR
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

870pF @ 13V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

17nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

25V
Descripción detallada

N-Channel 25V 12A (Ta), 10A (Tc) 3.7W (Ta), 24W (Tc) Surface Mount D-PAK (TO-252)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

12A (Ta), 10A (Tc)

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Envío
Forma de pago

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31/03/2025

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FDD6N50FTF

Descripción: MOSFET N-CH 500V 5.5A DPAK

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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