FDD6780A

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Especificaciones

Número de pieza

FDD6780A
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 25V 16.4A DPAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

FDD6780A.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

3V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

D-PAK (TO-252)
Serie

PowerTrench®
RDS (Max) @Id, Vgs

8.6 mOhm @ 16.4A, 10V
La disipación de energía (máximo)

3.7W (Ta), 32.6W (Tc)
embalaje

Original-Reel®
Paquete / Cubierta

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Otros nombres

FDD6780ADKR
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1235pF @ 13V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

24nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

25V
Descripción detallada

N-Channel 25V 16.4A (Ta), 30A (Tc) 3.7W (Ta), 32.6W (Tc) Surface Mount D-PAK (TO-252)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

16.4A (Ta), 30A (Tc)

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Envío
Forma de pago

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

31/03/2025

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FDD6N50FTF

Descripción: MOSFET N-CH 500V 5.5A DPAK

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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