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FDD86567-F085

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Especificaciones

Número de pieza

FDD86567-F085
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

FDD86567-F085.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

D-PAK (TO-252)
Serie

Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
RDS (Max) @Id, Vgs

3.2 mOhm @ 80A, 10V
La disipación de energía (máximo)

227W (Tj)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Otros nombres

FDD86567-F085TR
FDD86567_F085
FDD86567_F085TR
FDD86567_F085TR-ND
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

21 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

4950pF @ 30V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

82nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

60V
Descripción detallada

N-Channel 60V 100A (Tc) 227W (Tj) Surface Mount D-PAK (TO-252)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

100A (Tc)

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Envío
Forma de pago

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

31/03/2025

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FDD86367-F085

Descripción: MOSFET N-CH 80V 100A DPAK

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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