FDJ128N

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Especificaciones

Número de pieza

FDJ128N
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 20V 5.5A SC75-6
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

FDJ128N.pdf
VGS (th) (Max) @Id

1.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±12V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

SC75-6 FLMP
Serie

PowerTrench®
RDS (Max) @Id, Vgs

35 mOhm @ 5.5A, 4.5V
La disipación de energía (máximo)

1.6W (Ta)
embalaje

Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta

SC75-6 FLMP
Otros nombres

FDJ128N_NLCT
FDJ128N_NLCT-ND
FDJ128NCT
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

543pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

8nC @ 5V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

20V
Descripción detallada

N-Channel 20V 5.5A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount SC75-6 FLMP
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

5.5A (Ta)

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