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124261Imagen FDM2509NZAMI Semiconductor / ON Semiconductor

FDM2509NZ

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Especificaciones
  • Número de pieza
    FDM2509NZ
  • Fabricante / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET 2N-CH 20V 8.7A 2X5MLP
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    FDM2509NZ.pdf
  • VGS (th) (Max) @Id
    1.5V @ 250µA
  • Paquete del dispositivo
    6-MicroFET (2x5)
  • Serie
    PowerTrench®
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    18 mOhm @ 8.7A, 4.5V
  • Potencia - Max
    800mW
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    6-WFDFN Exposed Pad
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    1200pF @ 10V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    17nC @ 4.5V
  • Tipo FET
    2 N-Channel (Dual)
  • Característica de FET
    Logic Level Gate
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    20V
  • Descripción detallada
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 8.7A 800mW Surface Mount 6-MicroFET (2x5)
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
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