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4646531Imagen FDMA0104AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FDMA0104

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Especificaciones
  • Número de pieza
    FDMA0104
  • Fabricante / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET N-CH 20V 9.4A MICROFET
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    FDMA0104.pdf
  • VGS (th) (Max) @Id
    1V @ 250µA
  • Tecnología
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paquete del dispositivo
    6-MicroFET (2x2)
  • Serie
    PowerTrench®
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    14.5 mOhm @ 9.4A, 4.5V
  • La disipación de energía (máximo)
    1.9W (Ta)
  • embalaje
    Original-Reel®
  • Paquete / Cubierta
    6-WDFN Exposed Pad
  • Otros nombres
    FDMA0104DKR
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    1680pF @ 10V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    17.5nC @ 4.5V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Característica de FET
    -
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    20V
  • Descripción detallada
    N-Channel 20V 9.4A (Ta) 1.9W (Ta) Surface Mount 6-MicroFET (2x2)
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    9.4A (Ta)

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