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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores-FETs, MOSFETs-escoja > FDMC2D8N025S

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Imagen FDMC2D8N025S

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FDMC2D8N025S

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Especificaciones

Número de pieza

FDMC2D8N025S
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 25V 124A 8PQFN
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

FDMC2D8N025S.pdf
VGS (th) (Max) @Id

3V @ 1mA
Vgs (Max)

±16V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

1.9 mOhm @ 28A, 10V
La disipación de energía (máximo)

47W (Tc)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

8-PowerWDFN
Otros nombres

FDMC2D8N025S-ND
FDMC2D8N025SOSTR
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

39 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

4615pF @ 13V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

63nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

25V
Descripción detallada

N-Channel 25V 124A (Tc) 47W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

124A (Tc)

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