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Imagen FDMC612PZ

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FDMC612PZ

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Especificaciones

Número de pieza

FDMC612PZ
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET P-CH 20V 8-MLP
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

FDMC612PZ.pdf
VGS (th) (Max) @Id

1.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±12V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

8-MLP (3.3x3.3)
Serie

PowerTrench®
RDS (Max) @Id, Vgs

8.4 mOhm @ 14A, 4.5V
La disipación de energía (máximo)

2.3W (Ta), 26W (Tc)
embalaje

Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta

8-PowerWDFN
Otros nombres

FDMC612PZCT
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

7995pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

74nC @ 4.5V
Tipo FET

P-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

20V
Descripción detallada

P-Channel 20V 14A (Ta) 2.3W (Ta), 26W (Tc) Surface Mount 8-MLP (3.3x3.3)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

14A (Ta)

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