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Imagen FDMC86248

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FDMC86248

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Especificaciones

Número de pieza

FDMC86248
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N CH 150V 3.4A POWER33
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

FDMC86248.pdf
VGS (th) (Max) @Id

4V @ 250mA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

Power33
Serie

PowerTrench®
RDS (Max) @Id, Vgs

90 mOhm @ 3.4A, 10V
La disipación de energía (máximo)

2.3W (Ta), 36W (Tc)
embalaje

Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta

8-PowerTDFN
Otros nombres

FDMC86248CT
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

39 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

525pF @ 75V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

9nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

150V
Descripción detallada

N-Channel 150V 3.4A (Ta) 2.3W (Ta), 36W (Tc) Surface Mount Power33
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

3.4A (Ta)

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