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Imagen FDMC86262P

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FDMC86262P

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Especificaciones

Número de pieza

FDMC86262P
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET P-CH 150V 2A POWER33
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

FDMC86262P.pdf
VGS (th) (Max) @Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±25V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

8-MLP (3.3x3.3)
Serie

PowerTrench®
RDS (Max) @Id, Vgs

307 mOhm @ 2A, 10V
La disipación de energía (máximo)

2.3W (Ta), 40W (Tc)
embalaje

Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta

8-PowerWDFN
Otros nombres

FDMC86262PCT
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

23 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

885pF @ 75V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

13nC @ 10V
Tipo FET

P-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

150V
Descripción detallada

P-Channel 150V 2A (Ta), 8.4A (Tc) 2.3W (Ta), 40W (Tc) Surface Mount 8-MLP (3.3x3.3)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

2A (Ta), 8.4A (Tc)

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