FDMS4D0N12C

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Especificaciones

Número de pieza

FDMS4D0N12C
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

PTNG 120V N-FET PQFN56
Estado Libre de plomo / Estado RoHS
Especificaciones

FDMS4D0N12C.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

4V @ 370A
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

8-PQFN (5x6)
Serie

PowerTrench®
RDS (Max) @Id, Vgs

4 mOhm @ 67A, 10V
La disipación de energía (máximo)

2.7W (Ta), 106W (Tc)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

8-PowerTDFN
Otros nombres

FDMS4D0N12C-ND
FDMS4D0N12COSTR
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

39 Weeks
Estado sin plomo

Lead free
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

6460pF @ 60V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

82nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

120V
Descripción detallada

N-Channel 120V 18.5A (Ta), 114A (Tc) 2.7W (Ta), 106W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

18.5A (Ta), 114A (Tc)

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FDMS3664S

Descripción: MOSFET 2N-CH 30V 13A/25A 8-PQFN

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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