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Imagen FDMS3660S

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FDMS3660S

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Especificaciones

Número de pieza

FDMS3660S
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET 2N-CH 30V 13A/30A 8-PQFN
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

FDMS3660S.pdf
VGS (th) (Max) @Id

2.7V @ 250µA
Paquete del dispositivo

Power56
Serie

PowerTrench®
RDS (Max) @Id, Vgs

8 mOhm @ 13A, 10V
Potencia - Max

1W
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

8-PowerTDFN
Otros nombres

FDMS3660SFSTR
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

39 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1765pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

29nC @ 10V
Tipo FET

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Característica de FET

Logic Level Gate
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 30V 13A, 30A 1W Surface Mount Power56
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

13A, 30A
Número de pieza base

FDMS3660S

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