FDMS86183

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Especificaciones

Número de pieza

FDMS86183
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 100V 51A 8PQFN
Estado Libre de plomo / Estado RoHS
Especificaciones

FDMS86183.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

4V @ 90µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

8-PQFN (5x6), Power56
Serie

PowerTrench®
RDS (Max) @Id, Vgs

12.8 mOhm @ 16A, 10V
La disipación de energía (máximo)

63W (Tc)
embalaje

Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta

8-PowerTDFN
Otros nombres

FDMS86183CT
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

34 Weeks
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1515pF @ 50V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

14nC @ 6V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

100V
Descripción detallada

N-Channel 100V 51A (Tc) 63W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6), Power56
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

51A (Tc)

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Envío
Forma de pago

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

31/03/2025

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FDMS86163P

Descripción:

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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