FDMS86200DC

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Especificaciones

Número de pieza

FDMS86200DC
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 150V 9.3A POWER 56
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

FDMS86200DC.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

Dual Cool™56
Serie

Dual Cool™, PowerTrench®
RDS (Max) @Id, Vgs

17 mOhm @ 9.3A, 10V
La disipación de energía (máximo)

3.2W (Ta), 125W (Tc)
embalaje

Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta

8-PowerTDFN
Otros nombres

FDMS86200DCCT
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

19 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

2955pF @ 75V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

42nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

150V
Descripción detallada

N-Channel 150V 9.3A (Ta), 28A (Tc) 3.2W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount Dual Cool™56
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

9.3A (Ta), 28A (Tc)

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Descripción: MOSFET N-CH 120V POWER56

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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