FDMS86263P

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Especificaciones

Número de pieza

FDMS86263P
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET P-CH 150V 22A POWER 56
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

FDMS86263P.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±25V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

8-PQFN (5x6)
Serie

PowerTrench®
RDS (Max) @Id, Vgs

53 mOhm @ 4.4A, 10V
La disipación de energía (máximo)

2.5W (Ta), 104W (Tc)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

8-PowerTDFN
Otros nombres

FDMS86263PTR
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

34 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

3905pF @ 75V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

63nC @ 10V
Tipo FET

P-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

150V
Descripción detallada

P-Channel 150V 4.4A (Ta), 22A (Tc) 2.5W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

4.4A (Ta), 22A (Tc)

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Envío
Forma de pago

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

31/03/2025

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FDMS86200DC

Descripción:

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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