FDPC8011S

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Especificaciones

Número de pieza

FDPC8011S
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET 2N-CH 25V 13A/27A 8PQFN
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

FDPC8011S.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

2.2V @ 250µA
Paquete del dispositivo

Powerclip-33
Serie

PowerTrench®
RDS (Max) @Id, Vgs

6 mOhm @ 13A, 10V
Potencia - Max

800mW, 900mW
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

8-PowerWDFN
Otros nombres

FDPC8011SFSTR
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

39 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1240pF @ 13V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

19nC @ 10V
Tipo FET

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Característica de FET

Logic Level Gate
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

25V
Descripción detallada

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 25V 13A, 27A 800mW, 900mW Surface Mount Powerclip-33
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

13A, 27A
Número de pieza base

FDPC8011S

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Envío
Forma de pago

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

31/03/2025

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Los siguientes son productos relacionados con "FDPC8011S".

FDPC5018SG

Descripción: MOSFET 2N-CH 30V PWRCLIP56

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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