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FDP8D5N10C

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800+
$2.698
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Especificaciones
  • Número de pieza
    FDP8D5N10C
  • Fabricante / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    FET ENGR DEV-NOT REL
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
  • Especificaciones
    FDP8D5N10C.pdf
  • Modelo ECAD
  • VGS (th) (Max) @Id
    4V @ 130µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnología
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paquete del dispositivo
    TO-220-3
  • Serie
    PowerTrench®
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    8.5 mOhm @ 76A, 10V
  • La disipación de energía (máximo)
    2.4W (Ta), 107W (Tc)
  • Paquete / Cubierta
    TO-220-3
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Through Hole
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    32 Weeks
  • Estado sin plomo
    Lead free
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    2475pF @ 50V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    34nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Característica de FET
    -
  • Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    100V
  • Descripción detallada
    N-Channel 100V 76A (Tc) 2.4W (Ta), 107W (Tc) Through Hole TO-220-3
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    76A (Tc)

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Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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