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Imagen FDPF4N60NZ

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FDPF4N60NZ

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Especificaciones

Número de pieza

FDPF4N60NZ
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 600V 3.8A TO220F
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

FDPF4N60NZ.pdf
VGS (th) (Max) @Id

5V @ 250µA
Vgs (Max)

±25V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-220F
Serie

UniFET-II™
RDS (Max) @Id, Vgs

2.5 Ohm @ 1.9A, 10V
La disipación de energía (máximo)

28W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-220-3 Full Pack
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

510pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

10.8nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

600V
Descripción detallada

N-Channel 600V 3.8A (Tc) 28W (Tc) Through Hole TO-220F
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

3.8A (Tc)

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