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2300931

Imagen FDPF51N25RDTU

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FDPF51N25RDTU

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Especificaciones

Número de pieza

FDPF51N25RDTU
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 250V 51A TO220F
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

FDPF51N25RDTU.pdf
VGS (th) (Max) @Id

5V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-220F (LG-Formed)
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

60 mOhm @ 25.5A, 10V
La disipación de energía (máximo)

38W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-220-3 Full Pack, Formed Leads
Otros nombres

FDPF51N25RDTU-ND
FDPF51N25RDTUOS
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

3410pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

70nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

250V
Descripción detallada

N-Channel 250V 51A (Tc) 38W (Tc) Through Hole TO-220F (LG-Formed)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

51A (Tc)

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