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Imagen FDS89161

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FDS89161

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Especificaciones

Número de pieza

FDS89161
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET 2N-CH 100V 2.7A 8-SOIC
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

FDS89161.pdf
VGS (th) (Max) @Id

4V @ 250µA
Paquete del dispositivo

8-SO
Serie

PowerTrench®
RDS (Max) @Id, Vgs

105 mOhm @ 2.7A, 10V
Potencia - Max

1.6W
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Otros nombres

FDS89161TR
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

39 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

210pF @ 50V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

4.1nC @ 10V
Tipo FET

2 N-Channel (Dual)
Característica de FET

Standard
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

100V
Descripción detallada

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 2.7A 1.6W Surface Mount 8-SO
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

2.7A

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