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AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FDS8958

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Especificaciones

Número de pieza

FDS8958
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N/P-CH 30V 7A/5A 8SOIC
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

1.FDS8958.pdf
2.FDS8958.pdf
VGS (th) (Max) @Id

3V @ 250µA
Paquete del dispositivo

8-SO
Serie

PowerTrench®
RDS (Max) @Id, Vgs

28 mOhm @ 7A, 10V
Potencia - Max

2W
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

789pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

26nC @ 10V
Tipo FET

N and P-Channel
Característica de FET

Logic Level Gate
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

Mosfet Array N and P-Channel 30V 7A, 5A 2W Surface Mount 8-SO
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

7A, 5A

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