FDT434P

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Especificaciones

Número de pieza

FDT434P
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

1.FDT434P.pdf
2.FDT434P.pdf
Modelo ECAD
Voltaje - Prueba

1187pF @ 10V
Tensión - Desglose

SOT-223-4
VGS (th) (Max) @Id

50 mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs (Max)

2.5V, 4.5V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Serie

PowerTrench®
Estado RoHS

Cut Tape (CT)
RDS (Max) @Id, Vgs

6A (Ta)
Polarización

TO-261-4, TO-261AA
Otros nombres

FDT434PCT
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

9 Weeks
Número de pieza del fabricante

FDT434P
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

19nC @ 4.5V
Tipo de IGBT

±8V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

1V @ 250µA
Característica de FET

P-Channel
Descripción ampliada

P-Channel 20V 6A (Ta) 3W (Ta) Surface Mount SOT-223-4
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

-
Descripción

MOSFET P-CH 20V 6A SOT-223
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

20V
relación de capacidades

3W (Ta)

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Envío
Forma de pago

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

31/03/2025

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Los siguientes son productos relacionados con "FDT434P".

FDTC-08M-E-00N-00N-A

Descripción: FIBER DOME TERMINAL CLOSURES

Fabricantes: 3M

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